高靈敏度中子ICCD相機(jī)采用LiF：ZnS：Ag閃爍體熒光屏，由極低噪聲、高靈敏度ICCD或sCMOS芯片讀出。中子成像應(yīng)用方面使用10cm#215;10cm至43cm#215;43cm有效區(qū)域的高分辨率閃爍體，并結(jié)合具有低噪聲、快速讀出4096#215;4096分辨率的sCMOS相機(jī)。

詳細(xì)介紹

高靈敏度中子ICCD 和中子sCMOS探測(cè)器

PSEL制冷型中子探測(cè)器系列采用LiF：ZnS：Ag閃爍體熒光屏，由極低噪聲、高靈敏度ICCD或sCMOS芯片讀出。中子成像應(yīng)用方面使用10cm×10cm至43cm×43cm有效區(qū)域的高分辨率閃爍體，并結(jié)合具有低噪聲、快速讀出4096×4096分辨率的sCMOS相機(jī)。衍射和小角散射應(yīng)用使用26cm×20cm有效區(qū)域的高效閃爍體，并結(jié)合1306×1040分辨率的超低噪聲ICCD相機(jī)，可實(shí)現(xiàn)單量子探測(cè)功能。通過(guò)將多個(gè)相機(jī)拼接在一起可以實(shí)現(xiàn)更大區(qū)域的探測(cè)?？熘凶酉盗胁粌H可以用于實(shí)驗(yàn)室密封源研究，也可用于研究反應(yīng)堆設(shè)施。

高靈敏度中子ICCD 主要特點(diǎn)：

16-bit數(shù)字圖像實(shí)時(shí)采集
單中子等效讀出噪聲
可達(dá)20000:1的高動(dòng)態(tài)范圍
標(biāo)準(zhǔn)相機(jī)與計(jì)算機(jī)接口
芯片陣列可多路采集

高靈敏度中子ICCD 應(yīng)用：

中子成像/斷層掃描
中子衍射
小角中子散射
蛋白質(zhì)晶體學(xué)
中子反射

高靈敏度中子ICCD 技術(shù)指標(biāo)：

參數(shù)	中子ICCD	中子sCMOS
閃爍體	LiF：ZnS：Ag
有效像元尺寸	200μm	105 μm
有效探測(cè)尺寸	20cm×26cm	43cm×43cm
幀速	0.6 fps	5 fps
動(dòng)態(tài)范圍	>10000:1	>20000:1
讀出噪聲	<3 e-	4e-
增益	>1000:1	N/A
門控寬度	<1 ms @ 1kHz	N/A
芯片制冷溫度	-20 ℃
曝光時(shí)間(單幀)	最長(zhǎng)可達(dá)30分鐘	最長(zhǎng)可達(dá)1分鐘
相機(jī)接口	千兆以太網(wǎng)

Li-6熒光屏來(lái)自于scintacor

特征	物理性質(zhì)
屏幕類型	ND
磷光體類型	混合顆粒
發(fā)光顏色	藍(lán)色
峰值波長(zhǎng)	450nm
衰減10%	3.5μs
余輝拖尾	低階
X射線吸收	極低
紫外光吸收	寬帶