熱電參數(shù)測試系統(tǒng)產(chǎn)品特點(diǎn)
擁有獨(dú)立知識產(chǎn)權(quán),獲得多項(xiàng)技術(shù)。
采用動態(tài)法測量Seebeck系數(shù),避免了傳統(tǒng)靜態(tài)測量法在溫差測量方面的系統(tǒng)誤差,測量更準(zhǔn)確。
熱電偶不直接和樣品接觸,避免出現(xiàn)微型熱電偶斷裂失效的問題 。
爐殼過溫報警,自動斷電保護(hù)。
友好的軟件界面,操作簡單,實(shí)時顯示采集數(shù)據(jù)、測試狀態(tài)和結(jié)果,采用智能化數(shù)據(jù)存儲及處理算法。
熱電參數(shù)測試系統(tǒng)測試實(shí)例
1、康銅樣品三次測試數(shù)據(jù)與美國AIP標(biāo)準(zhǔn)數(shù)值對比
2、Namicro-3L、ZEM-3對N型Bi2Te3測試結(jié)果對比
3、Namicro-3L、ZEM-3對P型Bi2Te3測試結(jié)果對比
4、Namicro-3L、ZEM-3對MgSi測試結(jié)果對比(太原理工提供樣品)
熱電參數(shù)測試系統(tǒng)技術(shù)參數(shù)
型號 | Namicro-3LT |
溫度范圍 | RT~800°C |
溫控方式 | PID程序控制 |
升溫速率 | 50°C/min |
真空度 | ≤50Pa |
測試氣氛 | 真空 |
測量范圍 | 澤貝克系數(shù):S ≥ 8µV/K; 電阻率:0.1µΩ•m ~ 106KµΩ•m |
分辨率 | 澤貝克系數(shù):0.05µV/K; 電阻率:0.05µΩ•m |
相對誤差 | 澤貝克系數(shù) ≤±7%,電阻率 ≤±5% |
測量模式 | 自動 |
樣品尺寸 | 塊體,長x寬:(2~5) x (2~5),單位mm;高度:10 ~ 18mm |
主機(jī)尺寸 | 1000 x 400 x 500,單位mm |
重量 | 75kg |
熱電參數(shù)測試系統(tǒng)樣品要求
塊體:具備平整上下端即可
若樣品表面有腐蝕或氧化等雜質(zhì)層覆蓋,需對樣品表面拋光,使材料裸露出來,保證接觸良好
熱電參數(shù)測試系統(tǒng)技術(shù)原理
動態(tài)測量法
測試過程中給試樣兩段施加一微小的連續(xù)變化的溫差,測量樣品兩端熱電勢變化,溫差?T和熱電勢之間呈線性關(guān)系,其斜率即為seebeck系數(shù)。

四探針法
即四點(diǎn)接觸法,電流的路徑如右圖所示,但測量電壓使用的是另外兩個接觸點(diǎn)。相比二探針法,四探針法測量電阻率有個非常大的優(yōu)點(diǎn)——不需要校準(zhǔn);有時用其它方法測量電阻率時還用四探針法校準(zhǔn),因而測量精度更高。
