薄膜熱電參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)產(chǎn)品特點(diǎn)
專門(mén)針對(duì)薄膜材料的Seebeck系數(shù)和電阻率測(cè)量。
測(cè)試環(huán)境溫度范圍達(dá)到81K~700K。
采用動(dòng)態(tài)法測(cè)量Seebeck系數(shù),避免了靜態(tài)測(cè)量在溫差測(cè)量上的系統(tǒng)誤差,測(cè)量更準(zhǔn)確。
采用四線法測(cè)量電阻率。
熱電偶探針經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的篩選配對(duì)保證測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確和穩(wěn)定。
軟件操作簡(jiǎn)單,智能化可實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)模式。
薄膜熱電參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)測(cè)試實(shí)例
標(biāo)準(zhǔn)鎳帶測(cè)試結(jié)果
東華大學(xué)MoS2測(cè)試結(jié)果
MRS-3對(duì)Bi2Te3薄膜測(cè)試結(jié)果(電工研究所提供樣品)
MRS-3對(duì)Bi2Te3薄膜測(cè)試結(jié)果(電工研究所提供樣品)
薄膜熱電參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)技術(shù)參數(shù)
型號(hào) | MRS-3 | MRS-3RT |
環(huán)境溫度 | 81K~700K | RT |
溫控方式 | PID程序控制 | / |
真空度 | ≤ 1Pa | / |
測(cè)試氣氛 | 真空 | 空氣 |
測(cè)量范圍 | 澤貝克系數(shù):S ≥ 8µV/K; 電阻率:0.1µΩ•m ~ 1000KµΩ•m |
分辨率 | 澤貝克系數(shù):0.05µV/K; 電阻率:0.05µΩ•m |
相對(duì)誤差 | 澤貝克系數(shù) ≤ 7%,電阻率 ≤ 5% |
測(cè)量模式 | 自動(dòng) |
樣品尺寸 | 長(zhǎng) x 寬:(10~18)x(4~14)mm2,薄膜厚度≥50nm |
主機(jī)尺寸 | 采集箱:470x400x140,單位mm 變溫裝置:直徑x高 460x800mm | 170x250x220,單位mm |
重量 | 31.9kg | 3.5kg |
薄膜熱電參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)樣品要求
樣品滿足上述樣品尺寸,待測(cè)面需平整,薄膜均勻性好,保證與銅片接觸良好
薄膜材料厚度可至100nm,其均勻性有較高要求,薄膜厚度達(dá)到微米級(jí)別較好
薄膜材料的襯底需選擇電阻率較大或絕緣材料為宜,如玻璃、Si等材料
薄膜熱電參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)技術(shù)原理
動(dòng)態(tài)法:測(cè)量Seebeck系數(shù)
在待測(cè)溫場(chǎng)下給樣品兩端加一個(gè)連續(xù)變化的微小溫差,通過(guò)記錄樣品兩端溫差和熱電勢(shì)的變化,然后將溫差和熱電勢(shì)擬合成一條直線,直線斜率即為該材料在該溫場(chǎng)下的Seebeck系數(shù)。
采用四線法測(cè)量電阻率。