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高解析度FEB測量裝置CG6300（HITACHI CD-SEM）

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更新時間：2023-03-08 12:55:22瀏覽次數(shù)：508次

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產(chǎn)品簡介

CG6300提供更高的解析度、測量再現(xiàn)性以及高畫質(zhì)高解析度FEB測量裝置（CD-SEM）CG6300通過電子光學(xué)系統(tǒng)的全新設(shè)計提高了解析度，并進一步提高了測量可重復(fù)性和圖像畫質(zhì)。電子顯微鏡線圈能夠選擇從對象材料反射出的二次電子和背向散射電子，實現(xiàn)BEOL制程*1的Via-in-trench*2和3D-NAND、DRAM工程中的深溝槽?洞底的尺寸測量。此外，電子束的掃描速度是前機型的兩倍，可以減小Wafer表面帶電的影響，更好的獲取高解析度圖像并能夠通過高對比度檢測Edge。還有新設(shè)計的芯片載臺與前型號相比每小時處理晶圓數(shù)量提高20％以上從而提高生產(chǎn)力，并降低用戶的Cost of Ownership*3。另外，為了應(yīng)對裝置的大規(guī)模生產(chǎn)，裝置間的機差抑制到了最小，從而實現(xiàn)了長期穩(wěn)定運行。*1BEOL工藝（Back End Of Line）：半導(dǎo)體前端工藝中的配線形成工藝。*2Via-in-trench：BEOL工藝中凹槽的底部設(shè)置孔的構(gòu)造，洞深比高于從前。*3Cost of Ownership：設(shè)備?機器等安裝和運行管理所需的總費用。

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高解析度FEB測量裝置CG6300（HITACHI CD-SEM）

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高解析度FEB測量裝置CG6300（HITACHI CD-SEM）

CG6300提供更高的解析度、測量再現(xiàn)性以及高畫質(zhì)

高解析度FEB測量裝置（CD-SEM）CG6300通過電子光學(xué)系統(tǒng)的全新設(shè)計提高了解析度，并進一步提高了測量可重復(fù)性和圖像畫質(zhì)。
電子顯微鏡線圈能夠選擇從對象材料反射出的二次電子和背向散射電子，實現(xiàn)BEOL制程^*1的Via-in-trench^*2和3D-NAND、DRAM工程中的深溝槽?洞底的尺寸測量。
此外，電子束的掃描速度是前機型的兩倍，可以減小Wafer表面帶電的影響，更好的獲取高解析度圖像并能夠通過高對比度檢測Edge。
還有新設(shè)計的芯片載臺與前型號相比每小時處理晶圓數(shù)量提高20％以上從而提高生產(chǎn)力，并降低用戶的Cost of Ownership*3。另外，為了應(yīng)對裝置的大規(guī)模生產(chǎn)，裝置間的機差抑制到了最小，從而實現(xiàn)了長期穩(wěn)定運行。

*1: BEOL工藝（Back End Of Line）：半導(dǎo)體前端工藝中的配線形成工藝。
*2: Via-in-trench：BEOL工藝中凹槽的底部設(shè)置孔的構(gòu)造，洞深比高于從前。
*3: Cost of Ownership：設(shè)備?機器等安裝和運行管理所需的總費用。

特長
規(guī)格

特長

高解析度能夠高精度測量7 nm generation devices
提高深槽·孔的尺寸測量和材料對比度的可視性
通過選擇性能強化二次電子和被背向散射電子信號來提高對比度成像
包括高速掃描在內(nèi)的多種掃描方式取得減少帶電的清晰圖像
搭載新設(shè)計的高速芯片載臺搬送系統(tǒng)

規(guī)格

規(guī)格
晶圓尺寸	Φ300 mm （SEMI 標準規(guī)格 V notched wafer）
自動裝片	3 FOUP^*4 -compatible random access
電源	單相AC200V、208V、230V、12kVA（50/60Hz）