棱鏡耦合儀SPA-4000利用波導(dǎo)耦合原理,測(cè)量薄膜或體材料的折射率,薄膜厚度,熱光系數(shù)以及波導(dǎo)損耗等,用戶可選擇632.8nm,830nm,1310nm,1550nm以及其它可見(jiàn)光和近紅外光源。
主要功能: 1、薄膜及波導(dǎo)折射率/厚度/波導(dǎo)損耗測(cè)量; 2、薄膜及體材料的雙折射測(cè)量; 3、體材料折射率的測(cè)量; 4、液體折射率的測(cè)量; 5、折射率隨溫度變化的測(cè)量分析; 6、折射率隨深度變化的測(cè)量分析; | 主要應(yīng)用領(lǐng)域: 1、光波導(dǎo)器件芯片的制備; 2、激光晶體的制備; 3、聚合物材料的屬性研究; 4、顯示技術(shù)相關(guān)材料的測(cè)量; 5、光/磁存儲(chǔ)材料的測(cè)量; 6、光學(xué)薄膜的制備; |
主要測(cè)量參數(shù):
測(cè)量對(duì)象 | 測(cè)量?jī)?nèi)容及參數(shù) |
折射率 | 折射率測(cè)量范圍 | 1.0 - 2.45 |
折射率精度 | 0.001 |
折射率分辨率 | ±0.0005 |
厚度 | 厚度測(cè)量范圍 | 0.4? - 20? |
厚度精度 | ±0.5% |
厚度分辨率 | ±0.01? |
體材料(僅測(cè)折射率) | 折射率精度 | 0.0005 |
折射率分辨率 | ±0.0001 |
厚薄膜 | 厚度測(cè)量范圍 | 2? - 150? |
液體(僅測(cè)折射率) | 折射率測(cè)量范圍 | 1.0 - 2.4 |
折射率精度 | ±0.0005 |
熱光系數(shù) | 溫度測(cè)試范圍 | 室溫-150℃ |
波導(dǎo)損耗測(cè)量 | 測(cè)量限度 | below 0.05dB/cm |
可測(cè)量的薄膜和襯底材料類型:
硅、砷化鎵、玻璃、石英、GGG、藍(lán)寶石、鋰酸鈮等任何光滑的襯底材料均可測(cè)量。
薄膜類型 | 襯底類型 |
Silicon Nitride | Silicon |
Silicon Dioxide | Silicon Oxynitride | GaAs |
Low-k films | Polymers
| Quartz |
Polyimides | ITO | Glass |
Zinc Sulfide | Titanium Dioxide | Sapphire |
Sapphire | Epi Garnet | GGG |
Photoresists | Holographic Gels | Lithium Niobate |
一些材料的厚度測(cè)量范圍:
薄膜類型和折射率 | 厚度和折射率同時(shí)測(cè)量 | 僅測(cè)量厚度 |
硅基上的二氧化硅(n=1.46) | 0.48-15mm
| 0.20-0.48mm |
硅基上的光刻膠(n=1.63) | 0.42-15mm | 0.18-0.42mm |
二氧化硅上的光刻膠(n=1.63) | 0.70-15mm | 0.30-0.70mm |
硅基上的聚酰亞胺(n=1.72) | 0.38-15mm | 0.15-0.38mm |
二氧化硅上的聚酰亞胺(n=1.72)
| 0.50-15mm | 0.16-0.50mm |
硅基上的氮氧化硅(n=1.80) | 0.35-15mm
| 0.14-0.35mm |
二氧化硅上的氮氧化硅(n=1.80) | 0.45-15mm | 0.13-0.45mm |
硅基上的氮化硅(n=2.0)
| 0.32-15mm | 0.12-0.32mm |
二氧化硅上的氮化硅(n=2.0) | 0.30-15mm
| 0.15-0.30mm |