HGK1600℃真空管式氣氛爐的詳細資料: 這款CVD系統(tǒng)集真空管式爐,多通道氣路系統(tǒng)和真空系統(tǒng)組成,可根據(jù)用戶需要設計生產(有雙溫區(qū)、三溫區(qū)、多溫區(qū)),可預抽真空(有高真空、低真空),通多種氣氛(供氣系統(tǒng)有質子流量器和浮子流量控制器)。性能可靠??刂齐娐愤x用模糊PID程控技術,具有控溫精度高,溫沖幅度小,性能可靠,簡單易操作等特點。CVD生長系統(tǒng)適用于CVD工藝,如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導電率測試、ZnO納米結構的可控生長、陶瓷電容(MLCC)氣氛燒結等實驗。 高真空管式爐 | 爐管尺寸 | 外徑Φ60×1000mm,Φ80×1000mm,Φ100×1000mm | 極限溫度 | 1600 ℃ | 工作溫度 | 800 -1500 ℃ | 溫度控制器 | PID自動控制 晶閘管(可控硅)輸出功率, 50段可編程控制器 | 升降溫速率 | 1400℃以下≤10℃/min,1400℃到1600℃≤5℃/min | 加熱區(qū) | 360mm | 恒溫區(qū) | 150mm | 溫度精度 | ±1 ℃ | 電源 | 單相220V,交流50Hz | 多通道流量計控制系統(tǒng) | 標準量程 | 100,200 ,500,1000SCCM; (以氮氣標定,除以上標準外量程可選) | 準確度 | ±1.5% | 工作壓差范圍 | 0.01~0.05 MPa | 壓力 | 0.02MPa | 接頭類型 | Φ6雙卡套不銹鋼接頭 | 高真空系統(tǒng) | 泵體積流量N2 | 33 L/S | 壓縮比 | 10:11 | 實驗真空值 | 6.7*10-3Pa(8.0*10-4Pa) | 功率消耗 | 140W | 啟動時間 | 2min | 電源要求: | 185-265VAC | 注:A代表可程式,本公司可定制各種CVD系統(tǒng)。
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