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離子研磨系統(tǒng)ArBlade5000

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產(chǎn)品簡介

日立ArBlade 5000離子研磨系統(tǒng)能夠?qū)崿F(xiàn)高產(chǎn)量，并制備廣域橫截面樣品。　　離子研磨系統(tǒng)使用通過在表面上照射氬離子束引起的濺射效應(yīng)來拋光樣品的表面。樣品預(yù)處理系統(tǒng)可以用于電子和材料等各個領(lǐng)域的研發(fā)和質(zhì)量控制等?！　∨c機械拋光不同，離子研磨系統(tǒng)處理樣品而不會變形或施加機械應(yīng)力。因此，用于預(yù)處理樣品的離子銑削系統(tǒng)的應(yīng)用范圍不斷擴大，不僅包括掃描電子顯微鏡（SEM），還包括原子力顯微鏡（SPM / AFM）等。離子銑削系統(tǒng)應(yīng)用范圍廣泛，日立高新收集了用戶在各種領(lǐng)域提供的關(guān)鍵性建議和...

詳細(xì)介紹

概述

產(chǎn)品參數(shù)

日立ArBlade 5000離子研磨系統(tǒng)能夠?qū)崿F(xiàn)高產(chǎn)量，并制備廣域橫截面樣品。

　　離子研磨系統(tǒng)使用通過在表面上照射氬離子束引起的濺射效應(yīng)來拋光樣品的表面。樣品預(yù)處理系統(tǒng)可以用于電子和材料等各個領(lǐng)域的研發(fā)和質(zhì)量控制等。

　　與機械拋光不同，離子研磨系統(tǒng)處理樣品而不會變形或施加機械應(yīng)力。因此，用于預(yù)處理樣品的離子銑削系統(tǒng)的應(yīng)用范圍不斷擴大，不僅包括掃描電子顯微鏡（SEM），還包括原子力顯微鏡（SPM / AFM）等。離子銑削系統(tǒng)應(yīng)用范圍廣泛，日立高新收集了用戶在各種領(lǐng)域提供的關(guān)鍵性建議和改進(jìn)，并將它們納入到的設(shè)計平臺。

　　新推出的ArBlade 5000具有混合研磨功能，能夠進(jìn)行橫截面研磨，是日立離子研磨系統(tǒng)的標(biāo)志。此功能使樣品能夠根據(jù)所需的目的和應(yīng)用進(jìn)行預(yù)處理。

　　ArBlade 5000還具有PLUS II離子槍技術(shù)設(shè)計。這是一種新的氬離子槍，可以實現(xiàn)了1mm/hr以上的截面銑削速度（日立高新的IM4000Plus型號的兩倍）。新系統(tǒng)使用戶能夠在比以前更短的時間內(nèi)準(zhǔn)備橫截面，包括陶瓷和金屬等硬質(zhì)材料，這往往需要較長的加工時間。

　　此外，日立高新開發(fā)了全新的寬區(qū)域橫截面研磨，以實現(xiàn)橫截面研磨，研磨寬度為8mm，從而可以制備比以往更大的截面樣品。通過與下一代氬離子槍的協(xié)同效應(yīng)，新的ArBlade 5000可以與市場上可用的任何其他離子系統(tǒng)一起制備廣域橫截面樣品。

主要特點

　　1.能夠進(jìn)行橫截面和平面的混合研磨系統(tǒng)。

　　2.通過PLUS II離子槍技術(shù)設(shè)計高速氬離子槍實現(xiàn)1mm/hr或更高的橫截面研磨速度。

　　3.通過使用廣域橫截面研磨，實現(xiàn)寬度達(dá)8mm的廣域加工。

　　4.基于采用LCD觸摸面板的全新控制系統(tǒng)，增強了可操作性。

產(chǎn)品參數(shù)

通用
使用氣體	Ar(氬)氣
加速電壓	0～8 kV
截面研磨
研磨速率(材料Si)	1 mm/hr1以上含 1 mm/hr1
研磨寬度	8 mm*2
樣品尺寸	20(W) × 12(D) × 7(H) mm
樣品移動范圍	X ±7 mm、Y 0~+3 mm
離子束間歇加工功能	標(biāo)準(zhǔn)配置
擺動角度	±15°、±30°、±40°
平面研磨
加工范圍	φ32 mm
樣品尺寸	φ50 × 25(H) mm
樣品移動范圍	X 0～+5 mm
離子束間歇加工功能	標(biāo)準(zhǔn)配置
旋轉(zhuǎn)速度	1 r/m、25 r/m
傾斜角度	0～90°

*1
Si突出遮擋板邊緣100 µm，1個小時加工深度
*2
使用廣域截面研磨樣品座時

選配

項目	內(nèi)容
高耐磨遮擋板	耐磨遮擋板是標(biāo)準(zhǔn)遮擋板的2倍左右(不含鈷)
加工監(jiān)測用顯微鏡	放大倍率 15×～100× 雙目型、三目型(可加裝CCD)

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